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M471A1K43EB1-CWE

M471A1K43EB1-CWE,三星DDR4,SODIMM,8GB,1Rx8,3200Mbps,1.2V,260,(1Gx8)x8

主要特点

三星的M471A1K43EB1-CWE内存条是一款高性能的SODIMM内存，容量为8GB，具有1Rx8的配置和3200Mbps的传输速度。它采用了1Gx8的内存芯片，拥有极佳的稳定性和可靠性。同时，该内存条还具有极低的电压值，仅为1.2V，使得它能够在运行时保持低功耗和高效能。此外，M471A1K43EB1-CWE内存条的精致设计使得它更易于安装和更方便的管理。如果你需要在笔记本电脑或其他设备上进行大型程序运行和多任务处理，这款内存条将是一个不错的选择。

数据表:

概述
规格
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三星DDR4内存条M471A1K43EB1-CWE是一款容量为8GB，主频为3200Mbps的SODIMM内存条。这款内存条采用了领先的1Gx8架构，内存采用1Rx8存储结构，并具有出色的读写速度和故障修复能力。此外，内存条还采用了先进的制造工艺和材料，使内存模块能够提供强劲的处理性能和快速的数据传输速度。

在内存的存储结构方面，M471A1K43EB1-CWE采用了1Rx8单向传输技术。该技术允许内存模块以顺序和非顺序方式进行数据传输，这意味着内存条在保持传输速度和带宽的同时可以更好地掌握内存数据的存储位置，从而提高了内存的读写性能。而且，采用单向传输技术后还能减少内存精度误差，同时提高非顺序传输的效率，这对于一些应用性能要求较高的实时数据处理和多任务并行处理等场景下是非常有帮助的。

除了1Rx8的存储结构，内存条M471A1K43EB1-CWE还采用了1Gx8的内部架构。这种架构技术可以有效增强内存条的处理性能和故障修复能力，对于在大容量数据传输和处理的场景下至关重要。同时，内存条还支持RDIMM技术和3DS技术，这些技术能够进一步提高内存条的性能和可用性，满足各种复杂应用场景下的性能要求。

在内存条的运行电压方面，M471A1K43EB1-CWE采用了1.2V的低电压设计。与传统的DDR3内存条相比，这种低电压架构在能耗、散热等方面都有了较大的优化。同时，因为低电压的设计能够减少发热量和功耗，因此这款内存条还拥有出色的散热性能，可以有效保持内存模块的温度，持久稳定地提供高性能。

最后，需要注意的是，M471A1K43EB1-CWE内存条适用于笔记本电脑、迷你电脑和其他需要高性能内存支持的设备中，无论是进行图像处理、视频剪辑、虚拟机操作、CAD设计，还是为游戏玩家提供极致游戏体验，都能够提供充足的带宽和更好的性能。此外，这款内存条在大容量数据传输、实时数据处理和多任务并行处理等方面也拥有非常出色的表现。

总的来说，三星DDR4内存条M471A1K43EB1-CWE是一款高性能、低能耗、可靠性强的内存条，适用于各种性能要求较高的应用场景。如果您需要一款稳定可靠的内存条，M471A1K43EB1-CWE将是您的不二之选。

品牌	三星
产品型号	M471A1K43EB1-CWE
内存类型	DDR4 SDRAM
内存容量	8GB
内存频率	3200 MHz
内存规格	260 Pin
内存通道	Single
内存架构	1Rx8
主要芯片	1Gx8
工作电压	1.2V
CAS延迟	CL22
热插拔支持	支持
散热器形式	无
应用场景	笔记本电脑，迷你电脑，NUC，超极本等场合