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  • 三星DDR4,SODIMM内存条,M471A2K43EB1-CWE,16GB,2Rx8架构,3200Mbps传输速率,1.2V工作电压。
  • 三星DDR4,SODIMM内存条,M471A2K43EB1-CWE,16GB,2Rx8架构,3200Mbps传输速率,1.2V工作电压。

M471A2K43EB1-CWE

M471A2K43EB1-CWE,三星DDR4,SODIMM,16GB,2Rx8,3200Mbps,1.2V ,260,(1Gx8)x16
主要特点
三星DDR4内存条M471A2K43EB1-CWE是一款SODIMM类型内存条,容量为16GB。它采用2Rx8架构,带宽高达3200Mbps,电压为1.2V。该内存条执行效率高,运行速度快,可满足高强度的计算任务和游戏需求。此外,该内存条采用16颗1Gx8组成的结构,可大幅提升系统的性能表现。它也是一款低电压内存,出色的节能表现使得它广泛应用于笔记本电脑等移动设备中,同时也更加环保节能。总之,M471A2K43EB1-CWE是一款高性能、稳定、可靠的内存条,能够满足多场景的需求。

数据表: 

  • 概述
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M471A2K43EB1-CWE是一款高性能的三星DDR4内存条,采用SODIMM规格,适用于笔记本电脑、台式机和工作站等设备,并提供出色的内存处理性能。内存条容量为16GB,采用2Rx8的内存芯片组织架构,带宽高达3200Mbps,操作电压为1.2V,具有较低的功耗和更好的性能,同时更加环保和节能。

M471A2K43EB1-CWE采用了16颗1Gx8记录方式的内存芯片,也是真正意义上的双通道内存条。它的数据传输速度极快,可在超短时间内完成大量计算操作,提高系统性能和运行效率。此外,采用16颗1Gx8的存储颗粒,其读取速度也会更快,可以支持更多的运行内存,确保系统的稳定性和高速工作,满足大规模和复杂的计算需求。

同时,该内存条也采用了DDR4标准,内部结构经过优化,性能得到进一步提升。相较于DDR3,DDR4的主频更高,数据传输速度更快,延迟更低,且显著降低了功耗。此外,DDR4内存条具有更高的密度和更大的容量,可以提供更多的存储空间,同时更加稳定可靠。

M471A2K43EB1-CWE的操作电压为1.2V,这样的低电压操作能够显著降低能耗,并减少热量的输出,同时也有助于延长系统的使用寿命。这种低功耗特性也是本内存条适合使用于移动设备的重要原因之一。

与此同时,M471A2K43EB1-CWE还支持ECC (Error-Correcting Code) 纠错,该技术能够提高内存条的可靠性,并对于保护数据和延长内存条的寿命起着至关重要的作用。该技术能够检测到数据传输时的错误和故障,并修正这些问题,确保系统的数据完整性和运行稳定性。

此外,该内存条还支持Intel XMP(Extreme Memory Profile)超频功能,可以根据用户的需求将内存频率提高到更高的水平。用户可以通过BIOS设置进行更改,让内存条运行在更高的频率和更好的性能状态下。

总之,M471A2K43EB1-CWE是一款高性能、稳定、可靠的内存条,适用于各种计算任务和需求场景,可以帮助用户提高系统的运行效率和性能。无论是在多任务、复杂计算或大型游戏等应用场景下,该内存条都能够胜任并实现无缝的数据传输和高效的运行。同时,它还是一款低功耗、环保的内存条,在长时间的使用过程中也能更好地为用户节能减排,保护环境。
型号 M471A2K43EB1-CWE
品牌 三星
类型 DDR4
封装类型 SODIMM
容量 16GB
片数/芯片组数 2Rx8
传输速率 3200Mbps
工作电压 1.2V
组织结构 (1Gx8)x16
引脚数 260

获取驱动程序, 请访问  https://www.stesz.com/index.php/driver.html

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