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  • 三星DDR5内存条,M426R2GA3BB0-CQK,16GBECCSODIMM内存,4800Mbps速度,1.1V低电压,高密度内存芯片。
  • 三星DDR5内存条,M426R2GA3BB0-CQK,16GBECCSODIMM内存,4800Mbps速度,1.1V低电压,高密度内存芯片。

M426R2GA3BB0-CQK

M426R2GA3BB0-CQK,三星DDR5,ECCSODIMM,16GB,1Rx8,4800Mbps,1.1V,262,(2Gx8)x10
主要特点
高效性能:三星DDR5内存条M426R2GA3BB0-CQK采用ECCSODIMM技术,能够提供16GB的高内存容量,且速度高达4800Mbps,可满足高性能计算需求。单电压设计:M426R2GA3BB0-CQK内存条仅需1.1V的低电压供电,不仅节能环保,还能有效降低发热量,提升整机的稳定性和可靠性。高效数据传输:16GB的高密度内存容量,让M426R2GA3BB0-CQK内存条具备更多的存储空间,能够支持更多的数据传输操作,有效提高计算效率。先进的制造工艺:三星采用最新的8nm FinFET工艺制造这款DDR5内存条,使得这款内存条具有高度可靠性和超低延迟。双面散热片设计:这款内存条采用双面散热片设计,有效地降低内存条的工作温度,提升内存条的稳定性,并延长内存条的使用寿命。

数据表: 

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三星DDR5内存条M426R2GA3BB0-CQK采用先进的ECCSODIMM技术,能够提供16GB的高内存容量,并提供高达4800Mbps的超快速度,为用户提供卓越的计算体验。这款内存条还拥有单电压设计,不仅节能环保,还能有效降低发热量,提升整机的稳定性和可靠性。M426R2GA3BB0-CQK内存条支持先进的双面散热片设计,有效地降低内存条的工作温度,提升内存条的稳定性,并延长内存条的使用寿命。此外,三星采用最新的8nm FinFET工艺制造这款DDR5内存条,使得这款内存条具有高度可靠性和超低延迟,能够满足用户不同的高性能计算需求。
规格 详细信息
品牌 三星
产品型号 M426R2GA3BB0-CQK
内存容量 16GB
内存类型 DDR5
接口类型 ECCSODIMM
工作电压 1.1V
内存频率 4800Mbps
粒子数量 (2Gx8)x10
发布日期 2023年
尺寸 13.5mm x 30mm x 2.5mm(即DDR4尺寸)
保修期限 终身
散热片设计 双面散热片

获取驱动程序, 请访问  https://www.stesz.com/index.php/driver.html

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