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  • 三星DDR4内存条,M474A1K43DB1-CWE,8GB内存,ECC-SODIMM,1Rx8架构,3200-Mbps速率,1.2V电压,260(1Gx8)x9引脚数
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M474A1K43DB1-CWE

M474A1K43DB1-CWE,三星DDR4,ECC-SODIMM,8GB,1Rx8,3200-Mbps,1.2V,260(1Gx8)x9
主要特点
ECC-SODIMM技术支持:该内存组件采用ECC-SODIMM技术,能够检测和修复内存中的错误,提高计算机的稳定性和可靠性。 8GB存储容量:该内存组件具有8GB的存储容量,可以满足大多数笔记本电脑和工作站的存储需求。 1Rx8架构:该内存组件采用1Rx8架构,具有单通道的内存传输架构,可以实现较快的数据传输速度。 3200-Mbps速度:该内存组件的速度达到3200-Mbps,可以提供更快的数据传输速度,从而提高计算机的性能和效率。 1.2V低压工作模式:该内存组件采用低压工作模式,电压为1.2V,减少了能源的浪费和热量的产生,更加节能和环保。 260(1Gx8)x9引脚数:该内存组件拥有260(1Gx8)x9个引脚,支持笔记本电脑和工作站等设备的接口需求,具有较好的兼容性和可扩性。 总之,M474A1K43DB1-CWE作为一款高品质高性能的三星DDR4内存产品,具有良好的可靠性、高效性和节能环保性,可以为用户提供出色的内存存储和数据传输性能,是一款值得信赖的内存组件。 M474A1K43DB1-CWE,三星DDR4,ECC-SODIMM

数据表: 

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M474A1K43DB1-CWE是一款高品质、高性能的DDR4内存组件,它是由三星公司设计和制造,专为高端笔记本电脑和工作站等设备而设计的内存产品。

该内存组件的存储容量为8GB,提供了充足的空间来存储数据和运行各种应用程序,使用户可以轻松地进行多任务处理。同时,这款内存组件还采用了ECC-SODIMM技术,能够检测和修复内存中可能发生的错误,提高计算机的稳定性和可靠性,这种技术也被广泛应用于服务器和工作站等专业领域。

此外,这款内存组件采用了1Rx8架构,支持单通道内存传输,这意味着它可以通过快速的数据传输满足高速计算机和工作站的需要,能够提高计算机的响应速度和数据传输效率。

该内存还具有超高的3200Mbps速率,这使得它可以轻松处理大型数据文件、高清视频和图形处理等需要高性能内存的应用程序,提高了计算机的处理速度和效率。

在电压方面,这款内存组件采用了1.2V的低电压工作模式,减少了内部电路的功耗和发热,同时也能够延长电池寿命。

最后,在物理方面,这款内存组件采用了260(1Gx8)x9的引脚设计,结构紧凑,体积小巧,适用于各种高端的笔记本电脑和工作站等设备,方便用户安装和使用。

总之,三星公司的M474A1K43DB1-CWE是一款优秀的DDR4内存组件,可以提供高品质、高性能和高功率效率的内存解决方案。无论是高端笔记本电脑、工作站还是专业服务器,都可以使用这种内存,从而提高计算机的性能和运行效率。 如果您正在考虑购买一款高性能的DDR4内存组件,那么M474A1K43DB1-CWE将是一个值得推荐的选择。
型号 M474A1K43DB1-CWE
内存类型 DDR4
容量 8GB
架构 1Rx8
速率 3200Mbps
电压 1.2V
引脚数 260
存储系列 1Gx8
内存技术 ECC-SODIMM
适用设备类型 笔记本电脑、工作站
内存频率 3200MHz
CAS延迟 CL22
内存时序 22-22-22
未修订故障率 <0.001%
工作温度范围 0℃~85℃
存储温度范围 -55℃~100℃
尺寸 67.6 x 30.0 mm
净重 11g
包装形式 SO-DIMM
系统兼容性 兼容大部分主流品牌和型号的主板和设备

获取驱动程序, 请访问  https://www.stesz.com/index.php/driver.html

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