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  • 三星DDR4内存条,SODIMM内存条,ECC内存,16GB内存,3200Mbps内存条,计算机内存升级,内存条排名,高性能内存,内存条散热设计。
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M474A2G43BB2-CWE

M474A2G43BB2-CWE,三星DDR4,ECCSODIMM,16GB,1Rx8,3200Mbps,1.2V,260,(2Gx8)x9
主要特点
三星DDR4 M474A2G43BB2-CWE内存条是一款高性能的ECC SODIMM,采用1Rx8架构,容量为16GB。其工作频率为3200Mbps,电压为1.2V,拥有260针。该内存条由18个2G x8位DRAM芯片组成,使得它能够满足高速数据传输和处理的需要。同时,该内存条还具有出色的稳定性和可靠性,可应用于各种场景,如高性能的游戏、视频编辑和虚拟机等应用。如果您需要一款容量大、速度快、且性能稳定的内存条,三星DDR4 M474A2G43BB2-CWE将是您的不二之选。

数据表: 

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三星DDR4 M474A2G43BB2-CWE内存条是一款性能卓越的内存条,适用于超高速度数据传输和处理场景。该内存条采用ECC SODIMM设计,拥有1Rx8架构,容量为16GB,工作频率为3200Mbps,电压为1.2V,拥有260针。内存芯片采用2G x8位的DRAM芯片,该内存条由9组18个DRAM芯片组成,总共有162个DRAM芯片。

三星DDR4 M474A2G43BB2-CWE内存条的出色性能使得它成为市场上最具竞争力的内存条之一。拥有快速数据传输和处理能力,可以应用于多种计算机、服务器和移动终端等高需求的场景。无论是在办公室、家庭还是在学校,这款内存条都能帮助您加快计算机、笔记本电脑、工作站等的响应速度,并大幅提升您的计算效率和生产力。

三星DDR4 M474A2G43BB2-CWE内存条采用超高速率的DDR4技术,可以提供最高达3200Mbps的带宽速度。这意味着您的电脑和其他设备可以更快地处理大量数据,顺畅运行复杂的应用程序,并大幅提高CPU的工作效率。

另外,三星DDR4 M474A2G43BB2-CWE内存条还具有出色的稳定性和可靠性。它采用ECC SODIMM设计,可检测和修复内存单元故障,确保数据的完整性和安全性。此外,该内存条采用高品质的原材料,经过严格测试和认证,确保长期稳定的使用和高度的兼容性。

对于那些需要大量内存存储和处理数据的用户,三星DDR4 M474A2G43BB2-CWE内存条是不二之选。它适用于各种计算机和服务器应用场景,能够大大提高处理速度和计算效率。同时,该内存条还具有出色的可靠性,可以保证数据的稳定性和安全性,确保您的计算机和服务器系统始终运行在最佳状态。如果您正在寻找一款性能卓越、性价比高、可靠性强的内存条,三星DDR4 M474A2G43BB2-CWE是您的最佳选择。
型号 M474A2G43BB2-CWE
制造商 三星
内存类型 DDR4
端口类型 ECC SODIMM
构架设计 1Rx8
内存容量 16GB
总线速度 3200Mbps
工作电压 1.2V
接口针数 260
DRAM芯片数量 18
DRAM芯片容量 2G x8
组成方式 (2Gx8)x9
内存宽度 128位
CAS延迟时间 CL22
PCB板尺寸 69.6 x 30.0 x 3.8 mm
额定工作温度范围 0°C 到 85°C
各位引脚电平 VDD = 1.2V
工业标准认证 RoHS compliant

获取驱动程序, 请访问  https://www.stesz.com/index.php/driver.html

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