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M474A2K43DB1-CTD

M474A2K43DB1-CTD,三星DDR4,ECC-SODIMM,16GB,2R x 8,2933Mbps,1.2 V,260(1Gx8) x18

主要特点

以下是三星M474A2K43DB1-CTD ECC-SODIMM 16GB DDR4内存条的特点： - 高速运行：该内存条运行速度高达2933Mbps，提供快速的数据读写响应时间，能够让您更快地完成复杂的任务。 - 大容量：内存条提供16GB的存储容量，使其适用于需要处理大规模数据或运行多个应用程序的计算机系统和工作站。 - 双通道架构：内存条采用2R x 8架构，支持双通道模式，可以提高数据传输效率，从而获得更快的响应速度和更高的带宽。 - 低电压节能：内存条采用低电压的1.2V设计，具有节能优势，能够减少系统的整体能源消耗，从而节省能源和降低系统总体运营成本。 - ECC错误检测：该内存条还支持ECC错误检测和纠正，可以提高系统的稳定性和安全性，防止意外数据损坏和系统崩溃。 - 良好的兼容性：该内存条经过精心设计和测试，可以在各种高性能计算机系统和服务器上运行，从而满足不同用户的需求和要求。

数据表:

概述
规格
资料下载
驱动
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三星M474A2K43DB1-CTD ECC-SODIMM 16GB DDR4内存条是一款高性能、高容量、高稳定性的内存条，适用于需要处理大规模数据或运行多个应用程序的计算机系统和工作站。

首先，这款内存条提供了16GB的存储容量，能够存储大量的数据，从而提高计算机系统和工作站的处理能力。当我们打开多个应用程序时，系统需要更多的内存来存储和处理数据，M474A2K43DB1-CTD 内存条正好能够满足这个需求，使系统流畅地处理多个任务。此外，16GB容量还可以加快计算机系统和工作站在数据密集型应用程序中的处理速度。例如，图形设计、视频编辑、3D渲染等应用程序需要处理大量的数据，内存条的大容量能够更好地满足这些需求。

其次，M474A2K43DB1-CTD 内存条采用了2R x 8架构，支持双通道模式，能够提高数据传输速度和效率，从而获得更快的响应速度和更高的带宽。同时，该内存条运行速度高达2933Mbps，提供快速的数据读写响应时间，使得内存可以更快地处理数据，从而提高计算机系统和工作站的性能。

另外，该内存条采用低电压的1.2V设计，具有节能优势，能够减少系统的整体能源消耗。低电压内存不仅可以节省系统能源，并且会减少热量，通常不需要强制风扇散热器。此外，低电压内存还可以延长电池使用时间，这对于移动设备来说非常重要。

最后，三星M474A2K43DB1-CTD ECC-SODIMM 16GB DDR4内存条采用了错误校验与纠正码技术（ECC），能够检测错误数据和纠正数据错误，从而提高系统和数据的可靠性和稳定性。这意味着系统在运行过程中不会因为内存错误而导致系统挂起或崩溃，同时保护数据免受数据传输和存储期间的误码等问题。

总的来说，三星M474A2K43DB1-CTD ECC-SODIMM 16GB DDR4内存条具有高速运行、大容量、双通道架构、低电压节能以及错误校验与纠正码技术等特点，可以为计算机系统和工作站带来更出色的性能和稳定性，并提高处理大规模数据和多任务应用程序的能力。

型号	M474A2K43DB1-CTD
类型	DDR4
内存类型	ECC-SODIMM
容量	16GB
架构（内存条数量/位宽）	2R x 8
速度	2933Mbps
电压	1.2V
引脚数量	260
存储芯片数量及排布	260(1Gx8) x18