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M474A2K43DB1-CWE

M474A2K43DB1-CWE,三星DDR4,ECC-SODIMM,16GB,2Rx8,3200Mbps,1.2V,260(1Gx8)x18

主要特点

M474A2K43DB1-CWE是一款性能卓越的DDR4内存条，配备了高达16GB的内存容量，2Rx8架构，速率快达3200-Mbps，通过ECC-SODIMM实现出色的纠错能力。它采用260(1Gx8)x18引脚数和标准的1.2V电压，可用于各种高负载应用中，包括虚拟化、大数据分析和机器学习等。

数据表:

概述
规格
资料下载
驱动
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M474A2K43DB1-CWE是一款性能卓越的DDR4内存条，为PC、笔记本电脑和其他应用程序提供了强大的性能和可靠性。本产品配备了高达16GB的内存容量，2Rx8架构和3200Mbps的速率，采用ECC-SODIMM纠错技术，可大大提高系统的纠错能力。

内存是计算机中最基本、最关键的一个组件，也是一款计算机必备的硬件设备之一。DDR4内存条是内存的一种类型，使用它们可以将电脑的性能提高到一个全新的水平。DDR4内存与DDR3内存相比，具有更高的采样率和更低的电压损耗。这些特性共同提高了DDR4内存的吞吐量和响应速度，并能够更高效地利用电脑的处理器和其他组件来完成任务。

M474A2K43DB1-CWE的主要特点是它采用了2Rx8架构。这种架构意味着内存条上有两条记录器，每个记录器都有8个主存储器芯片。这种配置使内存条可以同时读取和写入两组数据，从而提高了内存带宽。此外，该内存条还采用了ECC-SODIMM纠错技术，有助于检查和纠正内存中的位错误，提高应用程序运行的稳定性和可靠性。

对于需要进行虚拟化操作、大数据分析、机器学习等高负荷计算的用户来说，M474A2K43DB1-CWE是一个理想的选择。其16GB的内存容量足以应对这些任务中需要占用大量内存的应用程序，2Rx8架构能够确保数据读取和写入速度快速、高效。此外，其3200Mbps的高速度使内存条可以快速地执行内存操作并增强系统的响应速度。

总之，M474A2K43DB1-CWE是一款高性能、高可靠性的DDR4内存条，适用于各种计算需求。它采用ECC-SODIMM技术实现出色的纠错能力，2Rx8架构增强了数据的读取和写入速度，可高效地完成各种任务。其高达16GB的内存容量和标准的260(1Gx8)x18引脚数和1.2V电压，使其成为一款值得推荐的DDR4内存产品。

型号	M474A2K43DB1-CWE
内存规格	16GB
使用技术	DDR4
内存架构	2Rx8
内存速率	3200 Mbps
ECC技术	支持 ECC-SODIMM
电压	1.2V
引脚数	260 (1Gx8) x18
应用领域	PC、笔记本电脑等
特色	出色的性能和可靠性，适用于各种高负载应用