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  • M386AAG40MM2-CVF,三星DDR4内存条,128GB大容量,LRDIMM接口,高传输速率,低功耗,DDP8Gx4内存芯片,良好的散热性能,企业级应用。
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M386AAG40MM2-CVF

M386AAG40MM2-CVF,三星DDR4,LRDIMM,128GB,4Rx4,2933Mbps,1.2V,288,(DDP8Gx4)x36
主要特点
三星M386AAG40MM2-CVF DDR4 LRDIMM内存条的主要特点如下: 1. 容量大:内存条容量为128GB,可以满足对内存需求较高的应用场景。 2. 高性能:内存条支持2933Mbps的传输速率,以及4Rx4架构,可以满足高性能计算场景对内存速度的需求。 3. 低功耗:内存条工作电压为1.2V,较低的电压可以帮助降低电脑系统的功耗和温度。 4. 物理设计优化:内存条采用288-pin物理设计和(DDP8Gx4)x36的物理结构,支持多通道通信和错误校正码(ECC)技术,提高存储可靠性和数据安全性。 5. 适用范围广:内存条适用于需要高性能计算和大容量存储的企业级应用,比如数据中心、云计算、虚拟机等场景。

数据表: 

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三星M386AAG40MM2-CVF DDR4 LRDIMM内存条是一种面向高性能计算和大容量存储应用的内存产品,它的主要特点可以概括为:容量大、高性能、低功耗、物理设计优化、适用范围广等方面。

首先,作为一款高性能内存条产品,M386AAG40MM2-CVF的容量为128GB,它能够满足对内存需求较高的应用场景,如科学计算、人工智能、虚拟化等领域。对于需要处理大量数据的应用场景,高容量的内存可以大幅提升计算机系统的性能和效率,加速数据处理和分析的速度以及精度。

其次,M386AAG40MM2-CVF内存条支持2933Mbps的传输速率和4Rx4架构,采用高效的访问方式能够在内存访问速度上比普通内存有着很大的提升,这对于需要高性能计算和数据处理的场景来说尤为重要,内存速度直接决定了电脑的运行速度和响应速度,而高速内存能够显著提升计算机的运行速度和响应速度,提高系统稳定性以及使用效率。

同时,M386AAG40MM2-CVF的电压为1.2V,采用的是低电压设计,相对于传统的内存条能够有效地减少计算机的功耗和排热,减少电脑在高负载运作下的发热量,更加稳定并有利于机箱内的温度调控。

其次,M386AAG40MM2-CVF内存条采用了优化设计,内存条采用了288-pin物理设计和(DDP8Gx4)x36的物理结构,采用了多通道通信的方式来提高内存访问的效率,也采用了错误校正码(ECC)技术来保障内存的可靠性和数据的安全性。

最后,M386AAG40MM2-CVF除了适用于高性能计算和大容量存储的应用场景,还可用于各种企业级应用,方便进行大规模的数据处理、存储和管理等操作。例如,对于工业、医疗、金融业等领域的大型数据库、云计算、虚拟化等应用场景,使用这种高性能内存条能够更加快速高效地完成数据处理和存储。

总之,M386AAG40MM2-CVF是一款适用于高性能计算和大容量存储的内存产品,它具有高容量、高性能、低功耗、物理设计优化等优点,适用于各种企业级应用,并且可以大幅提高计算机系统的性能和效率。
模型号 M386AAG40MM2-CVF
品牌 三星
类型 DDR4
接口类型 LRDIMM
容量 128GB
架构 4Rx4
传输速率 2933Mbps
工作电压 1.2V
物理设计 288-pin
物理结构 (DDP8Gx4)x36

获取驱动程序, 请访问  https://www.stesz.com/index.php/driver.html

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