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  • 三星PM9A3,960GB,M.2 22110,NVMe固态硬盘SSD,3D NAND,性能,稳定,速度,多场景,电脑升级,游戏加速,视频剪辑,耐用性,可靠性。
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MZ1L2960HCJR-00A07

三星 MZ1L2960HCJR-00A07 PM9A3 960GB M.2 22110 NVME固态硬盘SSD
主要特点
三星固态硬盘SSD是一款先进的固态硬盘,拥有高速读写,大容量存储和可靠性强等特点。它采用M.2 22110接口和NVME协议,能够在测试中达到极高的读取性能,极大地提高了系统的响应速度和运行效率。另外,该固态硬盘还拥有960GB的存储空间,可以存储大量的数据和文件,适合用于数据中心、企业级服务器等场景。三星固态硬盘SSD是一款高效、可靠的固态硬盘,适合用于高性能计算、云计算、虚拟化等场景。

数据表: 

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三星 PM9A3 M.2 22110 NVMe固态硬盘是一款高速、高效的储存设备,它适用于需要快速读取和写入大量数据的场景,如数据中心、云计算、人工智能、虚拟化、高性能计算等领域。

该固态硬盘采用了三星自主研发的V-NAND技术和NVMe接口,能够提供极快的响应速度和数据传输速率,同时具有高稳定性和可靠性,是实现高性能计算和数据加速的理想解决方案。

一、性能参数

PM9A3 M.2 22110 NVMe固态硬盘采用了PCIe Gen4接口,具有出色的读写速度和IOPS性能,可以满足数据传输速度要求极高的任务。

1.读写速度:

该固态硬盘的顺序读取和写入性能分别达到了7000MB/s和5000MB/s,而随机读取和写入IOPS性能则分别达到了100万和190万。

2.容量:

PM9A3 M.2 22110 NVMe固态硬盘提供了多种容量选择:1TB、2TB、4TB、8TB,适合不同应用场景和需求。

3.耐用性:

该固态硬盘采用了三星自主研发的V-NAND 3bit MLC闪存,可实现高达1200TBW的耐用性,同时具有优异的能耗控制和温度管理功能。

二、适用场景

PM9A3 M.2 22110 NVMe固态硬盘适用于多种应用场景和需求,如:

1.数据中心:

PM9A3 M.2 22110 NVMe固态硬盘支持多个命名空间的NVMe SSD架构,能够满足数据中心对存储高速且低延迟的要求,特别是在大数据分析和机器学习等领域。

2.云计算:

PM9A3 M.2 22110 NVMe固态硬盘能够支持高可用性和高可靠性的云计算服务,通过提高数据传输速率和稳定性,有助于提升用户体验和服务质量。

3.人工智能:

PM9A3 M.2 22110 NVMe固态硬盘支持大规模人工智能应用,能够快速读取和写入大量数据,帮助提高模型训练和推理的速度和精准度。

4.虚拟化:

PM9A3 M.2 22110 NVMe固态硬盘能够支持虚拟化环境,通过提高存储能力和性能,有助于提高虚拟机的稳定性和响应能力。

5.高性能计算:

PM9A3 M.2 22110 NVMe固态硬盘具有极高的IOPS和存储吞吐量,能够支持高性能计算和GPU加速,在科学计算、仿真和机器视觉等领域具有广泛的应用前景。

三、优势特点

PM9A3 M.2 22110 NVMe固态硬盘具有多项优势和特点,如:

1.高性能:

PM9A3 M.2 22110 NVMe固态硬盘采用PCIe Gen4接口,支持多个命名空间的NVMe SSD,能够实现高达7000MB/s和5000MB/s的读写速度和100万和190万的IOPS性能,能够满足对存储速度和低延迟的要求。

2.稳定性:

该固态硬盘采用三星自主研发的V-NAND 3bit MLC闪存,具有高达1200TBW的耐用性和ADE技术的动态故障保护,能够保证长期稳定的运行。

3.节能:

PM9A3 M.2 22110 NVMe固态硬盘具有优异的能耗控制和温度管理功能,能够降低设备能耗和降低温度,提高设备的可靠性和使用寿命。

4.管理多命名空间:

多个命名空间的NVMe SSD可以实现单个固态硬盘内的多个虚拟盘,提高存储的灵活性和可操作性。

5.易于安装:

M.2 22110 NVMe固态硬盘采用M.2接口,具有小巧的尺寸和简单的安装过程,方便用户进行自行安装。

四、总结

PM9A3 M.2 22110 NVMe固态硬盘是一款适用于高速、高效、高可靠性的存储解决方案,采用了PCIe Gen4接口和三星的自主研发V-NAND技术,具有出色的读写速度和IOPS性能,能够满足多种应用场景和需求。它是实现高性能计算和数据加速的理想选择,在数据中心、云计算、人工智能、虚拟化、高性能计算等领域具有广泛的应用前景。

产品型号 MZ1L2960HCJR-00A07
容量 960GB
接口类型 M.2 22110
接口标准 PCI Express Gen 3.0 x4
芯片主控 Samsung Phoenix
存储芯片 Samsung V-NAND 3-bit TLC
读取速度(最高) 3400MB/s
写入速度(最高) 2500MB/s
随机读取IOPS(最高) 420K
随机写入IOPS(最高) 440K
硬盘尺寸 80.15mm x 22.15mm x 2.38mm
重量 9g
耐用性(TBW) 1200TBW
MTBF 1.5 million hours
保修期 5年

获取驱动程序, 请访问  https://www.stesz.com/index.php/driver.html

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