深圳市赛特恩电子亮相CDCE2024 | 数据中心与云计算领域新突破
深圳市赛特恩电子有限公司精彩亮相CDCE2024国际数据中心及云计算产业展，聚焦算力与数据中心解决方案。展会亮点包括企业级服务器组件展示、技术论坛参与以及多方合作洽谈。探索前沿科技，解锁云计算未来！
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CDCE2024国际数据中心及云计算展作为年度行业盛会，展会不仅将带来算力中心、新型数据中心基础设施、ICT设备、液冷、云计算、网络信息安全、物联网等全产业链技术及产品展示，同时还将带来一系列精彩论坛，为您呈现一个覆盖数据中心全产业链的视觉盛宴。
随着信息技术的不断发展，计算机的性能要求越来越高，而内存是计算机性能的重要组成部分。相信大家对于内存也略有了解，DDR4 结束了它的地位，而 DDR5 作为目前最新的内存技术正在逐渐普及。最近，三星推出了一款 DDR5-RDIMM 内存条：M321RBGA0B40-CWK 。
首先，让我们看一下内存条的技术参数。这款内存的存储容量为 256GB，极速的内存传输速度高达 4800 Mbps，而且内存工作电压小于等于 1.1V，达到低耗能目的。内存条采用了 8R x 4 的存储通道结构，并且使用了 4H 3DS 16G x 4 的内存颗粒组合方式，从而提高了内存的密度和稳定性。在整个内存条中，共有 40 个颗粒，可以满足大型应用和运行工作负载的需要。
相比于 DDR4 内存条，DDR5 内存条有很多的改进。首先，DDR5 内存条采用了 PAM4（Pulse Amplitude Modulation 4） 信号编码技术，可以在同样的频率下传输更多的数据，从而在一定程度上提高数据传输效率。其次，DDR5 内存条引入了错误纠正码 ECC（Error Correction Code）技术，使得内存的稳定性更高。此外，DDR5 内存条还支持同步时序和异步时序两种工作模式，可以更好地适应不同的应用场景。最后，DDR5 内存条采用了更加紧凑的布局和节省空间的封装形式，有助于减小内存条的体积，并且也有更好的散热性能。
对于 M321RBGA0B40-CWK 内存条来说，其引入了第三代多层堆栈 3DS-16 Gb DDR5 DRAM 技术， 将同时利用基于 TSV 和 SCT 的替代信号路径以实现最大容量。 该方案可支持数据中心用例，如高性能计算（HPC）、人工智能（AI）和机器学习（ML）。
总体而言，M321RBGA0B40-CWK 内存条作为三星旗下的高端产品，以出色的性能和高效的能耗管理提高着整个系统的处理效率。在高性能计算、数据分析等应用场景下，该内存条具有非常不错的表现。
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 品牌 | 三星 |
| 型号 | M321RBGA0B40-CWK |
| 内存类型 | DDR5-RDIMM |
| 存储容量 | 256GB |
| 存储通道 | 8R x 4 |
| 内存传输速度 | 4800 Mbps |
| 工作电压 | 低于或等于 1.1V |
| 物理尺寸 | 288 |
| 内存大尺寸架构 | 4H 3DS 16G x 4 |
| 芯片数量 | 40 |
| 适用场景 | 高性能计算机服务器、处理大型图形、视频渲染和虚拟机等场景 |
获取驱动程序, 请访问 https://www.stesz.com/index.php/driver.html
M321RBGA0B40-CWK
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