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M386AAG40BM3-CWE

M386AAG40BM3-CWE,三星DDR4,RDIMM,128GB,4Rx4,3200Mbps,1.2V,288,(DDP8Gx4)X36
主要特点
三星DDR4内存条M386AAG40BM3-CWE,具有以下几点突出特点: - 高速传输:内存条频率达到3200Mbps,拥有快速的读写速度,可同时支持多任务运行,提升系统的整体表现; - 高容量:内存容量为128GB,可存储大量数据,适合高负荷的计算机应用场景,满足各种需求; - 强大的稳定性:采用RDIMM技术,可以提升内存稳定性,同时支持3DS技术,前者可以提高内存稳定性,后者可以提高内存的密度,为高性能计算提供了优异的性能保障; - 低电压低功耗:电压仅为1.2V,可降低功耗和散热压力,提升系统运行效率; - 高可靠性:该内存条是单插即可工作的,不需要另外的内存条卡槽空位支持,便于用户搭建内存体系结构,从而保障了系统的可靠性; - 优秀的散热性能:内存条带有导热设计,可有效降低温度,提升内存条的寿命和性能表现,让电脑在高负荷运行场景下也能保持较高的稳定性。

数据表: 

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作为一款优秀的三星DDR4内存条,M386AAG40BM3-CWE具有多重突出特点,适用于追求高速运行、高稳定性和高容量的计算机应用场景。

首先,这款内存条的关键参数之一是频率,其频率达到3200Mbps,拥有快速的读写速度,能够同时支持多任务运行,提升系统的整体表现。高速传输使得内存可以更快地提供数据到处理器,和更快地取回数据,这在处理大型数据或运行多个应用程序时尤为重要。

其次,M386AAG40BM3-CWE内存条的容量为128GB,分布在4Rx4的架构中,可存储大量数据,适合高负荷的计算机应用场景,满足各种需求。在游戏开发、渲染和视频编辑等领域,常常需要存储海量的数据,内存的容量至关重要。这款内存条的超大容量可以轻松存储大型数据集,使你能够更快地完成任务。

M386AAG40BM3-CWE还具有强大的稳定性和可靠性,它采用了RDIMM技术,可以提升内存稳定性和可靠性,同时支持3DS技术,前者可以提高内存稳定性,后者可以提高内存的密度,为高性能计算提供了优异的性能保障。RDIMM采用了高级锁存器来提供一些更强的电路保护,可以确保内存条在高强度运行状态下不会出现错误,从而提升了生产率和稳定性。而3DS技术则利用了没使用的空间,能够将多个记忆体部件集合成一个整体,从而大幅增加内存的位数,更方便地实现高性能计算。

此外,该内存条电压仅为1.2V,可降低功耗和散热压力,提升系统运行效率。如果整个系统的能耗较高且内存使用时间较长,一个低电压的内存条可以节省许多能量和降低主板还有齿轮风扇所产生的噪音。而和过量能耗相关的散热性能监测则也要密切关注,M386AAG40BM3-CWE内存条带有导热设计,可有效降低内存温度,从而保护计算机以及内存硬件的完整性。

最后,该内存条是单插即可工作的,不需要另外的内存条卡槽空位支持,便于用户搭建内存体系结构,从而保障了系统的可靠性。如果想要优化自己的计算机系统性能,M386AAG40BM3-CWE内存条是一个不错的选择。无论你是需要存储大量数据还是进行复杂的计算,这款内存条都可以为你提供高速稳定的运行和可靠的数据存储解决方案,让你的计算机运行速度更快,并增加你的工作效率。
型号 M386AAG40BM3-CWE
品牌 三星
内存类型 DDR4
内存容量 128GB
内存频率 3200Mbps
电压 1.2V
接口 RDIMM
内存芯片排列方式 4Rx4
内存芯片数量 DDP8Gx4
引脚数/内存位数 288

获取驱动程序, 请访问  https://www.stesz.com/index.php/driver.html

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